（来源：半导体芯情）
虽然大多数人对于存储未来的行情持续看好，存储芯片的涨价逻辑也很硬核，那就是AI产业的未来前景非常可观，带来的必定是存储需求的暴增。
存储市场太热了，涨价幅度大超预期。目前的存储市场涨价到底有多疯狂呢？据某网络平台价格数据显示，英睿达经典款16GB DDR5台式机内存条今年9月售价为329元，目前已经涨到999元。同规格的三星内存条也从500多元涨至近1300元。如此疯狂的涨价行为，当真是多年难得一见。在现在清冷的消费电子市场上，存储当真是一枝独秀！
对于存储代理分销商而言，存储芯片四季度是不是大概率涨价是大家关心的热门话题。近日，千亿市值存储龙头江波龙表示，结合第三方机构公布的信息来看，AI应用将持续推升CSP对高效能TLC eSSD、QLCe SSD的需求，且HDD供应依然短缺，预计将支撑第四季整体NAND Flash价格持续上涨，这对于存储产业而言是非常利好的消息。
受过往周期影响，主要原厂维持审慎的产能扩张策略，若后续资本开支回升，受制于产能建设周期的滞后性，对2026年位元产出的增量贡献也将较为有限。
对于终端市场而言，存储芯片涨价影响巨大。“还没有买手机的朋友要尽快买，明年价格大概率上涨。”集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷预测。存储供给瓶颈已经开始影响行业前景。IDC与Gartner均下调了2026年PC出货预测。上述采购经理警告称，如果存储短缺持续，实际产量可能低于预期，某些机型甚至可能面临减产或短暂停产的风险。
从三星对自己的亲兄弟公司态度，可以侧面老板存储芯片的涨价热度。近日，三星电子半导体（DS）部门拒绝移动体验（MX）事业部的存储芯片一年以上长期供应合约请求，要求按季度签3个月合约，即使MX事业部高层亲自协商，但只达成第四季度DRAM协议。据悉，芯片价格上涨将使其占Galaxy S26成本比例至少增加5%。DS部门正调整生产线，重点生产AI芯片使用的高带宽记忆体（HBM）和移动低功耗DRAM（LPDDR）等高利润产品来将收益最大化。
对于存储上涨时间，吴雅婷表示，预计本轮存储芯片价格持续上涨的周期比上一轮八个季度的周期更长，整体智能手机价格也会往上调。
大家比较认可的观点是，本轮存储芯片涨价，归因是人工智能浪潮带来的AI服务器旺盛需求，推动原厂将更多产能转向AI系统所需的高端产品，包括HBM、DDR5，导致普通型存储芯片LPDDR4产品供应不足。
今年行情是好，那对于存储产品明年的行情呢？吴雅婷表示，随着原厂的逐步停产，到2026年，LPDDR4在总的LPDDR供应中占比降至26%，LPDDR5的供应占比将快速提升至73%。由于手机需求叠加AI需求，LPDDR5的供给也会持续紧张，预计明年都会面临供应紧缺和涨价问题，进一步促进智能终端的成本压力上升。
如今，存储的确是巨大的市场需求拉动了价格快速上涨。全球科技巨头正斥资数千亿美元打造AI数据中心，这些数据中心需要英伟达等供应商的图形处理器（GPU），而GPU又依赖众多不同的零部件。AMD、谷歌和微软等公司的巨大需求导致供应链多个环节不堪重负。路透社3日报道称，供应紧张几乎波及所有类型的内存，从U盘和智能手机中使用的NAND闪存芯片（手机需要两种芯片：动态随机存取存储器DRAM负责临时运算存储，NAND负责永久数据存储——编者注），到为数据中心AI芯片提供动力的先进高带宽内存（HBM）。
根据全球科技产业分析机构群智咨询半导体分析师的说法，在这一轮方兴未艾的AI热潮中，因为利润更为丰厚，且采购规模更大，上游存储厂商将产能倒向AI算力带来的需求。美国贝恩咨询公司科技业务合伙人彼得·汉伯里也对CNBC表示，存储短缺的直接原因是AI数据中心需求的快速增长，以及上游存储厂商出于风险考虑未能按市场预期扩建产能，而产能的扩张通常需要2到3年的周期。
供需失衡导致存储价格大幅上涨。CNBC引用市场研究机构Counterpoint Research的数据预计，今年第四季度存储价格还将上涨30%，2026年初再涨 20%。华尔街投资机构伯恩斯坦在最新研报中表示，AI需求强劲推动下的存储芯片涨价周期已经到来，2025年四季度移动DRAM合约价环比上涨30%—40%，NAND价格环比也出现了接近两位数的涨幅，涨势或持续至2026年上半年。Counterpoint Research研究总监Hwang表示，这是一个全球性问题。
“短短一个多月的时间，存储行业迎来的涨价浪潮，是我从业十几年来第一次遇到，11月初的时候，闪迪再次宣布涨价50%，紧接着三星跟进部分产品，涨价超过60%，这么短的时间这么大的涨幅，是让我很震惊的。”时创意董事长倪黄忠说道。
倪黄忠认为，过去存储涨价，基本都是手机容量倍增或原厂出现停电等异常情况导致减产涨价，但本轮涨价完全超出预期，主要在于AI的规模化应用带来的结构性缺货，本质上是存储从AI的成本配件向战略物资的角色转型，当以存代算成了降本增效的核心路径，彻底重构了整个存储市场的逻辑。
作为人工智能产品的必需品，存储芯片增长速度惊人。数据显示，2025年以来，AI持续猛涨的需求，对内存带宽和容量提出极高要求，一台AI服务器对DRAM的需求是普通服务器的8 倍，对NAND的需求高达3 倍，增加了对HBM和DDR5等高性能、高密度存储产品的需求，从而带动存储原厂的结构性产能转移。
作为存储芯片炒货的聚集地，全球半导体产品交易的中心华强北，其产品交易活跃度直接反映当下大家对某个产品的热度。近日，半导体芯情记者沉浸式走访了华强北赛格广场和元器件交易中心以及电脑交易市场、华强电子世界一期二期等重要的元器件交易中心，首先，记者最大的感受是半导体行情出现强烈的分化，半导体是“冰火两重天”行情，热度可分为火和冰，存储是火，此外全是其它（冰）！以前比较火热的分立器件产品柜台，要么是客户寥寥无几，要么直接关闭了柜台，很多柜台倒闭，市场总体冰凉。而存储器柜台，基本都能有五六个顾客问价格，产品也摆得多种多样，热度和网上描述的几乎一致，价格也是涨到离谱，以前最不温不火的U盘价格居然报价三位数。
在华强北的电脑市场上，记者发现了一个很有意思的现象，那就是很多老外开始询问终端和存储价格，它们看上去很多像是东南亚的客户，对存储相关产品非常感兴趣，手机和电脑旗舰店最近也是接待了很多老外客户。
大厂疯狂扩产满足市场需求，大家对未来的信心倍增
现货市场的火爆，让原厂和存储产业链人士信心爆棚，大家纷纷扩产满足市场需求。有半导体资深人士表示，存储价格上升反映出存储芯片市场仍有较大的需求量，从中长期来看，这可能拉动存储芯片制造厂持续扩大产能。
就在几日前，存储芯片原厂SK海力士表示，海力士启动大规模产能扩张，以“双线并进”为核心战略：在巩固高附加值HBM市场绝对领先优势的同时，积极扩充包括1c DRAM在内的通用型DRAM产能，形成“高端突破+通用补位”的战略布局。
作为第六代10纳米DRAM（1c DRAM）的核心玩家，SK海力士计划大幅提升该尖端通用DRAM产能。据韩国经济日报报道，其1c DRAM月产能将从当前约2万片300mm晶圆，于2026年提升至16-19万片，增幅达8-9倍，届时该产能将占其DRAM总产能的三分之一以上。
韩国利川工厂是此次扩产的核心引擎，通过现有产线工艺升级，该工厂1c DRAM月产量将先实现从2万片到14万片的增幅，部分业内人士透露实际产能或向17万片冲刺。扩产的1c DRAM将重点用于生产GDDR7图形内存模组和低功耗SOCAMM2内存模块，直接对接英伟达、AMD等企业的需求。
近日，半导体巨擘三星电子(SamsungElectronics)看好智能型手机和平板计算机市场持续的成长动能，大手笔砸下36亿美元在美国德州奥斯丁的晶圆厂扩产，分析师认为，该公司不无向晶圆代工大厂台积电和全球晶圆下战帖的意味。
位于德州奥斯丁的晶圆厂，是三星在美国唯一的晶圆厂，分析师认为，该公司扩产是打算生产用于苹果iPhone和iPad里的逻辑芯片。据悉，三星该座晶圆厂等到6月扩产完工后，厂区占地230万平方英尺，可说是北美地区最大型的工厂之一。
分析师表示，三星扩产之后，将可望掌握更多的厂房空间为其它半导体业者代工，这无疑是向全球晶圆和台积电等晶圆代工业者下战书。截至目前为止，身为全球存储器龙头的三星，还未能在晶圆代工领域拿下足够的订单。
报导引述三星半导体部门位于美国的发言人CatherineMorse表示，三星在任何一个领域里，都不想屈居第2名。不过，她还是没有正面回应三星美国奥斯丁晶圆厂扩产的目标为何。
至于三星半导体美国副总裁BurtonNicoson则表示，三星选择奥斯丁这里扩产的原因在于这里拥有完善的基础设施和支持系统，这是其它地方所没有的优势。此外，德州大学每年培育出大量优秀的工程师，也是三星半导体所亟需的。
对于产能，另外一个存储巨头也不甘示弱。半导体芯情了解到，美光科技计划投资1.5万亿日元(约合96亿美元)在日本西部广岛建造一座新工厂，用于生产先进的高带宽内存芯片。
据悉，这家美国芯片制造商的目标是在明年5月于现有厂址开始建设，并计划在2028年左右开始出货。日本经济产业省将为该项目提供高达5000亿日元的补贴。
日本政府将人工智能视为解决国家安全、经济停滞以及少子老龄化等社会问题的关键技术动能，并积极通过资金投入、政策支持和国际合作，努力扭转其在生成式AI使用率和前沿算法研发上的相对滞后局面。
为振兴其日渐老化的半导体产业，日本政府正提供丰厚补贴，以吸引美光和台积电(TSM.US)等外国芯片制造商的投资。日本政府还在资助一家工厂的建设，该工厂将利用IBM的技术大规模生产先进的逻辑芯片。
存储芯片的产能方面，2025年LPDDR4(X)在总的LPDDR供应当中的占比为39%，随着三大原厂的逐步停产，预计2026年占比将会降低至26%。相比之下，LPDDR5(X)的供应占比将从2025年的60%快速提升到2026年的73%。
吴雅婷表示，明年LPDDR5在LPDDR的产出中将超过70%，但由于手机的需求会跟AI的需求互相竞争，LPDDR5的供给也将紧张，再加上LPDDR4的供给减少，预计2026年智能手机的成本压力会上升许多。据统计，LPDRAM价格在2025年下半年整体上涨超50%，一些智能手机品牌已经调涨零售价格作为回应，这将冲击智能手机和笔记本电脑的升级意愿和换机计划，预计将导致2026年出货增速将分别同比下滑至-2%和-3%。
对于2026年存储芯片的需求和价格走势，集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣表示，今年下半年各大云服务商加码AI基础设施投入，台积电正不断满足AI方面的需求，使得内存、闪存产能吃紧，价格节节高涨，到2026年，智能手机和笔记本电脑的出货将是负增长情况，这和AI服务器的高增长几乎是两个完全不同的世界。
虽然目前很多消费终端市场复苏缓慢，并且长江存储和长鑫产能提升迅猛，长鑫DDR5也很多不错，产能也可以，但是目前我们产能对比三大厂，还有很大差距，我们的市场份额加起来不到两成，对几大巨头的冲击很有限，对价格影响有限。
总而言之，替代供应在短期内帮助有限。中国厂商长鑫存储的DDR5产能仍处于爬坡阶段，还无法供给足够的规模。有供应链人士表示，在需求如此旺盛的情况下，整个行业很可能在2028年之前都无法恢复旧款库存的折扣周期。
随着AI相关存储需求持续攀升，HBM与传统PC DRAM之间的产能倾斜失衡预计将延续至明年。如果主要供应商不扩充主流存储的产能，或新进入者无法更快地扩大生产规模，PC制造商将继续面临短缺与高企的组件成本，使2026年的产品周期成为近年来成本最昂贵的一年之一。存储芯片的短缺和涨价会持续很久，这波存储周期可能足够长，也会非常热闹。AI走多远，我们这个存储涨价时间或许就有多长。
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